LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长过程中,晶体中的热弹应力的“W”分布和位错大量增殖时所需的临界应力共同作用的结果。红外透射测量结果表明:当位错密度不太高时,位错引入的电子态的体密度低,位错的径向分布对红外透过率的影响很小;当位错密度很高时,其对红外透过率的影响不可忽视。